IXYS IXFX52N30Q

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

52A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

300V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

52A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

DS 击穿电压-最小值

300V

RoHS状态

符合RoHS标准