IXGA16N60C2D1详情
IXYS IXGA16N60C2D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
质量
1.59999g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 12A, 22 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HiPerFAST™
已出版
2010
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Pure Tin (Sn)
最大功率耗散
150W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IXG*16N60
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
150W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
40A
反向恢复时间
30ns
接通时间
43 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 12A
关断时间-标准值(toff)
190 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
25nC
集极脉冲电流(Icm)
100A
Td(开/关)@25°C
16ns/75ns
开关能量
160μJ (on), 90μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.5V
RoHS状态
符合RoHS标准
IXGA16N60C2D1拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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