IXGC16N60C2D1
IXGC16N60C2D1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

IXYS IXGC16N60C2D1

  • 收藏
  • 对比

型号

IXGC16N60C2D1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXGC16N60C2D1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

ISOPLUS220™

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IXYS SEMICONDUCTOR IXGC16N60C2D1 IGBT Single Transistor, 20 A, 3 V, 63 W, ISOPLUS-220, 3 Pins

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
IXGC16N60C2D1
IXGC16N60C2D1 IXYS IXYS SEMICONDUCTOR IXGC16N60C2D1 IGBT Single Transistor, 20 A, 3 V, 63 W, ISOPLUS-220, 3 Pins

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXGC16N60C2D1详情

IXYS IXGC16N60C2D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    ISOPLUS220™

  • 引脚数

    220

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    3V

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    400V, 12A, 22 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HiPerFAST™

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    通孔

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    UL 认证

  • 最大功率耗散

    63W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    IXG*16N60

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    63W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 输入类型

    Standard

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 上升时间

    35ns

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    20A

  • 反向恢复时间

    30ns

  • 接通时间

    43 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    3V @ 15V, 12A

  • 关断时间-标准值(toff)

    185 ns

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    32nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    100A

  • Td(开/关)@25°C

    25ns/60ns

  • 开关能量

    60μJ (off)

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

IXGC16N60C2D1拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z