IXYS IXGH10N100AU1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1kV

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 10A, 150 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

附加功能

HIGH SPEED

电压 - 额定直流

1kV

最大功率耗散

100W

端子位置

SINGLE

额定电流

20A

基本部件号

IXG*10N100

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

4V

最大集电极电流

20A

反向恢复时间

60ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000V

接通时间

300 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

4V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

1200 ns

闸门收费

52nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

100ns/550ns

开关能量

2mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

VCEsat-最大值

4 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

RoHS状态

符合RoHS标准