IXGH30N60A详情
IXYS IXGH30N60A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
Turn Off Delay Time
500 ns
包装
Tube
已出版
1997
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
HIGH SPEED
最大功率耗散
200W
基本部件号
IXG*30N60
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
上升时间-最大值
200ns
元素配置
Single
功率耗散
200W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
100 ns
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
3V
最大集电极电流
50A
连续放电电流(ID)
60A
JEDEC-95代码
TO-247AD
漏源击穿电压
600V
接通时间
300 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 30A
漏源电阻
2.6Ohm
关断时间-标准值(toff)
850 ns
栅极-发射极电压-最大值
30V
VCEsat-最大值
3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IXGH30N60A拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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