IXGH38N60U1详情
IXYS IXGH38N60U1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
最大功率耗散
200W
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
200W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.8V
最大集电极电流
76A
连续放电电流(ID)
38A
JEDEC-95代码
TO-247AD
漏源击穿电压
600V
接通时间
200 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V, 38A
关断时间-标准值(toff)
1800 ns
最大下降时间 (tf)
1100ns
RoHS状态
符合RoHS标准
IXGH38N60U1拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
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IXYS
IXYS
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IXYS
IXYS
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