IXGP12N60B详情
IXYS IXGP12N60B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
2.299997g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 12A, 18 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HiPerFAST™
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
100W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IXG*12N60
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
100W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
24A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
40 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 12A
关断时间-标准值(toff)
400 ns
闸门收费
32nC
集极脉冲电流(Icm)
48A
Td(开/关)@25°C
20ns/150ns
开关能量
500μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
IXGP12N60B拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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