IXYS IXGP16N60C2D1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 12A, 22 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFAST™

已出版

2004

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Pure Tin (Sn)

最大功率耗散

150W

基本部件号

IXG*16N60

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

25 ns

功率 - 最大

150W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

反向恢复时间

30ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

43 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 12A

关断时间-标准值（toff)

190 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

25nC

集极脉冲电流（Icm）

100A

Td（开/关）@25°C

16ns/75ns

开关能量

160μJ (on), 90μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅