IXYS IXGP30N60B4D1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 24A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

190W

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

190W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.7V

最大集电极电流

56A

反向恢复时间

30 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

53 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 15V, 24A

关断时间-标准值（toff)

511 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

77nC

集极脉冲电流（Icm）

156A

Td（开/关）@25°C

21ns/200ns

开关能量

440μJ (on), 700μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

符合RoHS标准