IXGQ90N33TCD1详情
IXYS IXGQ90N33TCD1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
质量
5.500006g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
330V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8V
Number of Elements
1
包装
Tube
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
200W
基本部件号
IXG*90N33
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
功率耗散
200W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.8V
最大集电极电流
90A
接通时间
41 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V, 45A
关断时间-标准值(toff)
124 ns
IGBT类型
Trench
闸门收费
69nC
RoHS状态
符合RoHS标准
IXGQ90N33TCD1拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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IXYS
IXYS
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