IXYS IXGR120N60B

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 100A, 2.4 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFAST™

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

520W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*120N60

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

520W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

156A

接通时间

120 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

540 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

350nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

Td（开/关）@25°C

60ns/200ns

开关能量

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准