IXYS IXGR60N60C2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 50A, 2 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

130 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFAST™

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*60N60

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

250W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

接通延迟时间

18 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

35ns

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

75A

反向恢复时间

35 ns

接通时间

43 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

210 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

140nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

Td（开/关）@25°C

18ns/95ns

开关能量

490μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅