IXYS IXGR60N60C2D1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 50A, 2 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFAST™

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*60N60

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

250W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

35ns

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

75A

反向恢复时间

35 ns

接通时间

43 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

210 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

140nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

Td（开/关）@25°C

18ns/95ns

开关能量

490μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准