IXYS IXGT32N60C

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

质量

4.500005g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 32A, 4.7 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFAST™, Lightspeed™

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

200W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*32N60

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

接通时间

25 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 32A

关断时间-标准值（toff)

110 ns

闸门收费

110nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

25ns/85ns

开关能量

320μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

最大下降时间 (tf)

160ns

RoHS状态

符合RoHS标准