IXYS IXSH35N120B

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 35A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

300W

基本部件号

IXS*35N120

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

300W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

70A

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

67 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.6V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

580 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

120nC

集极脉冲电流（Icm）

140A

Td（开/关）@25°C

36ns/160ns

开关能量

5mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准