IXSP10N60B2D1详情
IXYS IXSP10N60B2D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
2.299997g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 10A, 30 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2005
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
3
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
100W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
20A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IXS*10N60
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
100W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
上升时间
30ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
20A
反向恢复时间
25 ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
60 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 10A
关断时间-标准值(toff)
530 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
17nC
集极脉冲电流(Icm)
30A
Td(开/关)@25°C
30ns/180ns
开关能量
430μJ (off)
高度
9.15mm
长度
10.66mm
宽度
4.82mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IXSP10N60B2D1拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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