IXYS IXSP20N60B2D1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 16A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

190W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

35A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXS*20N60

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

190W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

30ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

35A

反向恢复时间

30 ns

接通时间

60 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 16A

关断时间-标准值（toff)

390 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

33nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

Td（开/关）@25°C

30ns/116ns

开关能量

380μJ (off)

高度

9.15mm

长度

10.66mm

宽度

4.82mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅