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IXSQ10N60B2D1

IXSQ10N60B2D1

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IXYS IXSQ10N60B2D1

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对比

型号

IXSQ10N60B2D1

品牌

utmel 编号

1274-IXSQ10N60B2D1

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

起订量

1最小包装量--

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IXSQ10N60B2D1

IXSQ10N60B2D1 IXYS Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

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IXSQ10N60B2D1详情

技术参数

IXYS IXSQ10N60B2D1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

TO-3P, 3 PIN
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)

60 ns
Turn-off Time-Nom (toff)

530 ns
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

IXSQ10N60B2D1
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

IXYS Corporation
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

IXYS CORP
Risk Rank

5.79
Part Package Code

TO-3P
JESD-609代码

e3
无铅代码

有
端子表面处理

Matte Tin (Sn)
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
引脚数量

2
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

电源控制
极性/通道类型

N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)

20 A
集电极-发射器电压-最大值

600 V

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