IXYS IXSR35N120BD1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

247

质量

5.3g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 35A, 2.7 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXS*35N120

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

250W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

180ns

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

40ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

67 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.6V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

580 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

120nC

集极脉冲电流（Icm）

140A

Td（开/关）@25°C

36ns/160ns

开关能量

5mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

300ns

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准