IXSX80N60B详情
IXYS IXSX80N60B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
7.300002g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 80A, 2.7 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2003
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
低饱和电压
最大功率耗散
500W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IXS*80N60
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
500W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
160A
接通时间
120 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 80A
关断时间-标准值(toff)
450 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
240nC
集极脉冲电流(Icm)
300A
Td(开/关)@25°C
60ns/140ns
开关能量
4.2mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
8V
RoHS状态
符合RoHS标准
IXSX80N60B拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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