IXYS IXTA08N100D2HV

工厂交货时间

24 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

21 Ω @ 400mA, 0V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

325pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.6nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

耗尽模式

RoHS状态

符合RoHS标准