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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥50.97174
10
¥48.086549
100
¥45.364663
500
¥42.796858
1000
¥40.374392
IXTA3N100D2HV详情
IXYS IXTA3N100D2HV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
125W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
2
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 1.5A, 0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1020pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
37.5nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
1000V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
6Ohm
场效应管特性
耗尽模式
RoHS状态
符合RoHS标准
IXTA3N100D2HV拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS








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