IXTD3N60P-2J
IXTD3N60P-2J

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

IXYS IXTD3N60P-2J

  • 收藏
  • 对比

型号

IXTD3N60P-2J

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXTD3N60P-2J

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Die

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
IXTD3N60P-2J
IXTD3N60P-2J IXYS MOSFET N-CH 600

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXTD3N60P-2J详情

IXYS IXTD3N60P-2J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    70W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 系列

    PolarHV™

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.9 Ω @ 1.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.5V @ 50μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    411pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    9.8nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

0个相似型号

技术文档: IXYS IXTD3N60P-2J.

IXTD3N60P-2J拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z