IXYS IXTF1N450

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5 (3 Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Turn Off Delay Time

58 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

Reach合规守则

unknown

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

165W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

85 Ω @ 50mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

4500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

127 ns

连续放电电流(ID)

900mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.9A

漏极-源极导通最大电阻

80Ohm

漏源击穿电压

4.5kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

3A

RoHS状态

ROHS3 Compliant