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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥78.243442
10
¥73.814564
100
¥69.636388
500
¥65.694704
1000
¥61.976133
IXTH120N20X4详情
IXYS IXTH120N20X4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247 (IXTH)
厂商
IXYS
Package
Tube
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
417W (Tc)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Manufacturer
IXYS
Brand
IXYS
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
120 A
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
MOSFETs
通道数量
1 Channel
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.5mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6100 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
108 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
200 V
Vgs(最大值)
±20V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
IXTH120N20X4拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS







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