IXYS IXTH1N250

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-247AD

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

2.5 kV

Typical Turn-On Delay Time

69 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

250 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.211644 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Mounting Styles

通孔

Forward Transconductance - Min

1 mS

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

IXYS

Brand

IXYS

Qg - Gate Charge

41 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

40 Ohms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

132 ns

Id - Continuous Drain Current

1.5 A

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

132 ns

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A (Tc)

厂商

IXYS

Product Status

活跃

Package Description

PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXTH1N250

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

8.57

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

1.5 A

系列

IXTH1N250

包装

Tube

无铅代码

有

类型

功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

250 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

40Ohm @ 750mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1660 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41 nC @ 10 V

上升时间

25 ns

漏源电压 (Vdss)

2.5 kV

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

1.5 A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.5 A

漏极-源极导通最大电阻

40 Ω

漏源击穿电压

2.5 kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6 A

输入电容

1.66 nF

DS 击穿电压-最小值

2500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250 W

场效应管特性

-

漏源电阻

40 Ω

最大rds

40 Ω

产品类别

MOSFET

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

长度

16.26 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅