IXTH2N150详情
IXYS IXTH2N150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247 (IXTH)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Manufacturer
IXYS
Brand
IXYS
RoHS
Details
Package
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
IXYS
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
Product Status
活跃
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
子类别
MOSFETs
技术
Si
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.2Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
830 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
1500 V
Vgs(最大值)
±30V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
IXTH2N150拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS








哦! 它是空的。