IXTK210P10T详情
IXYS IXTK210P10T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
28 Weeks
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-264AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
210A
漏极-源极导通最大电阻
0.0075Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
800A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
3000 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1040W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXTK210P10T拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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