IXYS IXTM12N50A

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

IXTM12N50A

Package Shape

ROUND

Manufacturer

IXYS Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

5.83

Drain Current-Max (ID)

12 A

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

环境耗散-最大值

180 W