IXYS IXTM35N30

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GigaMOS™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 17.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

220nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

300V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35A

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

DS 击穿电压-最小值

300V

RoHS状态

ROHS3 Compliant