IXYS IXTQ180N055T

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180A Tc

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

4mOhm

端子表面处理

PURE TIN

最大功率耗散

360W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

160nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

连续放电电流(ID)

180A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

600A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准