IXYS IXTQ23N60Q

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

45 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXTQ23N60Q

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

IXYS Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

5.84

Part Package Code

TO-3P

Drain Current-Max (ID)

23 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

400 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

23 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.32 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

92 A

输入电容

3.3 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

320 mΩ

最大rds

320 mΩ