IXYS IXTQ24N55Q

包装/外壳

TO-3P-3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

550 V

Id - Continuous Drain Current

24 A

Rds On - Drain-Source Resistance

270 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

400 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

11 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Typical Turn-Off Delay Time

46 ns

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Unit Weight

0.194007 oz

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXTQ24N55Q

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

LITTELFUSE INC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

24 A

包装

Tube

系列

IXTQ24N55

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

0.27 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96 A

DS 击穿电压-最小值

550 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

高度

20.3 mm

长度

15.8 mm

宽度

4.9 mm