IXYS IXTT02N450HV

工厂交货时间

24 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

113W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

113W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

750 Ω @ 10mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

256pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.4nC @ 10V

上升时间

48ns

漏源电压 (Vdss)

4500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

143 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

625Ohm

漏源击穿电压

4.5kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.6A

RoHS状态

ROHS3 Compliant