IXYS IXTT1N450HV

工厂交货时间

24 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

520W Tc

Turn Off Delay Time

58 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

Reach合规守则

not_compliant

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

520W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

85 Ω @ 50mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

4500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

127 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

4.5kV

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅