IXYS IXTT20N50D

工厂交货时间

24 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

电阻

330mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

400W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

330m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

125nC @ 10V

上升时间

85ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

场效应管特性

耗尽模式

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅