IXYS IXTT24N50Q

包装/外壳

TO-268-3

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

24 A

Rds On - Drain-Source Resistance

240 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

360 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

11 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Typical Turn-Off Delay Time

46 ns

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Unit Weight

0.158733 oz

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

46 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXTT24N50Q

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

LITTELFUSE INC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

24 A

包装

Tube

系列

IXTT24N50

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

360 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

24 A

JEDEC-95代码

TO-268AA

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.24 Ω

漏源击穿电压

500 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96 A

输入电容

3 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

240 mΩ

最大rds

240 mΩ

高度

5.1 mm

长度

16.05 mm

宽度

14 mm