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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥97.769939
10
¥92.23579
100
¥87.014896
500
¥82.08953
1000
¥77.44295
IXTT48P20P详情
IXYS IXTT48P20P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
48A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
462W Tc
Turn Off Delay Time
67 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PolarP™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
85MOhm
端子表面处理
PURE TIN
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
462W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
85m Ω @ 24A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
103nC @ 10V
上升时间
46ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
27 ns
连续放电电流(ID)
48A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-200V
雪崩能量等级(Eas)
2500 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXTT48P20P拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS








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