IXYS IXTT8P50

工厂交货时间

24 Weeks

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

180W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

包装

Tube

已出版

2005

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

PURE TIN

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

上升时间

27ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

-500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

RoHS状态

ROHS3 Compliant