IXYS IXTV03N400S

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PLUS-220SMD

引脚数

220

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

130W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

130W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

290 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

435pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

4000V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

300mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

300A

漏源击穿电压

4kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

800A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅