IXXP50N60B3
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IXYS IXXP50N60B3

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型号

IXXP50N60B3

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXP50N60B3

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT

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IXXP50N60B3
IXXP50N60B3 IXYS IGBT

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IXXP50N60B3详情

IXYS IXXP50N60B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    24 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    120A

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    360V, 36A, 5 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    XPT™, GenX3™

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    3

  • 端子位置

    SINGLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    600W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 反向恢复时间

    40ns

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    600V

  • 最大耗散功率(Abs)

    600W

  • 接通时间

    75 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.8V @ 15V, 36A

  • 关断时间-标准值(toff)

    320 ns

  • 闸门收费

    70nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    200A

  • Td(开/关)@25°C

    27ns/150ns

  • 开关能量

    670μJ (on), 1.2mJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.5V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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IXXP50N60B3拓展信息

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