IXYS IXXX200N60C3

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

360V, 100A, 1 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

XPT™, GenX3™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

340A

最大耗散功率(Abs)

1630W

接通时间

143 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

240 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

315nC

集极脉冲电流（Icm）

900A

Td（开/关）@25°C

47ns/125ns

开关能量

3mJ (on), 1.7mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant