IXYH50N65C3D1
IXYH50N65C3D1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

IXYS IXYH50N65C3D1

  • 收藏
  • 对比

型号

IXYH50N65C3D1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXYH50N65C3D1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IXYS SEMICONDUCTOR IXYH50N65C3D1 IGBT Single Transistor, 50 A, 2.1 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 Pins

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
IXYH50N65C3D1
IXYH50N65C3D1 IXYS IXYS SEMICONDUCTOR IXYH50N65C3D1 IGBT Single Transistor, 50 A, 2.1 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 Pins

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXYH50N65C3D1详情

IXYS IXYH50N65C3D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    650V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.1V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    132A

  • Test Conditions

    400V, 36A, 5 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    XPT™, GenX3™

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    600W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 输入类型

    Standard

  • 反向恢复时间

    36ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 36A

  • 闸门收费

    86nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    250A

  • Td(开/关)@25°C

    20ns/90ns

  • 开关能量

    800μJ (on), 800μJ (off)

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: IXYS IXYH50N65C3D1.

IXYH50N65C3D1拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z