MKE11R600DCGFC详情
IXYS MKE11R600DCGFC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
ISOPLUSi5-Pak™
质量
6.500007g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
75 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PSIP-T5
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
165m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 790μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
52nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
15A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.165Ohm
漏源击穿电压
600V
雪崩能量等级(Eas)
522 mJ
RoHS状态
符合RoHS标准
MKE11R600DCGFC拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









哦! 它是空的。