IXYS VMO580-02F

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

Y3-Li

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

580A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

900 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

HiPerFET™

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

11

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

200V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

580A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

VMO

JESD-30代码

R-XUFM-X11

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8m Ω @ 430A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 50mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2750nC @ 10V

上升时间

500ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

500 ns

连续放电电流(ID)

580A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0038Ohm

漏源击穿电压

200V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅