IXYS-RF IXZ308N120

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rated

1200V

包装

Tube

系列

Z-MOS™

已出版

2004

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最大功率耗散

880W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

65MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

1.2kV

晶体管类型

N-Channel

连续放电电流(ID)

8A

增益

23dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

DS 击穿电压-最小值

1200V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

2.1Ohm

电压-测试

100V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准