JST 06P

工厂交货时间

1 Week

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

FDN306P

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Manufacturer Package Code

527AG

Risk Rank

0.98

Samacsys Description

FDN306P P-Channel MOSFET, 2.6 A, 12 V PowerTrench, 3-Pin SOT-23 ON Semiconductor

Drain Current-Max (ID)

2.6 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.04 Ω

DS 击穿电压-最小值

12 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

环境耗散-最大值

0.5 W