KDS112E
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KEC KDS112E

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型号

KDS112E

品牌

KEC

utmel 编号

2998-KDS112E

商品类别

二极管 - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ESM, 3 PIN

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KDS112E
KDS112E KEC Description: Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ESM, 3 PIN

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KDS112E详情

KEC KDS112E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    3

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    KEC CORP

  • Package Description

    R-PDSO-F3

  • Manufacturer Package Code

    ESM

  • Forward Voltage-Max (VF)

    0.85 V

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.10.00.60

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

  • 二极管类型

    混频器芯片

  • 输出电流-最大值

    0.05 A

  • 反向电流-最大值

    0.1 μA

  • 击穿电压-最小值

    30 V

  • 反向测试电压

    15 V

  • 频带

    极高频率

  • 二极管电容-最大值

    1.2 pF

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技术文档: KEC KDS112E.

KDS112E拓展信息

KDV172S
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