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技术文档
型号
KF10N60P
品牌
KEC
utmel 编号
2998-KF10N60P
商品类别
晶体管 - 特殊用途
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
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KF10N60P详情
技术参数
PDF文档
KEC KF10N60P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
KEC CORP
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)
10 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
0.73 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
25 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: KEC KF10N60P.
KF10N60P拓展信息
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公司资质
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型号:KMB3D9N40TA
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