KEC KF5N50DS

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

4.3 A

Risk Rank

5.67

Ihs Manufacturer

KEC CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

KEC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

KF5N50DS

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

小概要

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

270 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR